1. Порівняльні характеристики технологічних груп ІМС ТЛБЗ (Транзисторна логіка безпосередній зв’язок) Y=X1vX2vX3vX4 U1=0,7В U0=0,1-0,4В Uлогічний=0,3В – логічний рівень Переваги: -чим меньший логічний рівень, тим більший рівень швидкодії Недоліки: невисока надійність спрацювання низька завадостійкість РТЛ (Резистивно-транзисторна логіка) Переваги: краща завадостійкість Недоліки: -погіршена швидкодія -паразитні ємності РКТЛ (резистивно-конденсаторна-транзистивна логіка) Більша швидкодія, велика завадостійкість Діодно-транзисторна логіка (ДТЛ) Y=X1*X2*X3 V X4*X5*X6 Ця інверсія виконується за рахунок транзистора, який може перебувати у виключеному стані. Якщо на X1 подати 0, то струм буде рівномірно протікати через діод, тоді напруга буде 0≤U0≤0,7В. Тобто низький потенціал на б.-л. вході призводить до того, що на вході буде великий потенціал (1). Такі схеми вже не використовують. Хороша завадостійкість, мала швидкодія (до 1МГц) (ТТЛ) Транзисторно-транзисторна логіка На відміну від попередньої схеми, для того, щоб на вході був високий потенціал необхідно щоб була на вході була 1: Якщо 0≤UБЕ≤0,55В => RКЕ>1мΩ 0,55≤ UБЕ ≤0,65В => 1мΩ≤RКЕ≤100Ω 0,7≤ UБЕ => RКЕ>100Ω 0≤U0≤0,4B 2,4≤U1≤4B Така схема може працювати лише на двох рівнях: рівень логічного 0 і рівень логічної 1. Пізніше з’явилася інші група, в якої покращилися основні параметри: швидкодія і споживання потужності. ТТЛ з включенням діода Шоткі (ТТЛШ) Швидкодія цих елементів збільшилась у 5 разів. Емітерно зв’язана логіка (ЕЗЛ) Висока або надвисока швидкодія до 1000 МГц Мала енергія переключення Незалежність споживаної потужності від частоти переключення Висока навантажувальна здатність Висока завадостійкість Мала вартість Широкий функціональний набір Інтегрально-інжекційна логіка (І2Л) Застосовується для побудови елементів пам’яті. Частота 10 МГц. Комплементарна на базі МОН транзисторів Логіка (КМОН) Використовуються р-канальні та n-канальні польові транзистори.Використовується у 70% інтегральних мікросхем. 2. Основні статичні та динамічні характеристики ІМС Статичні характеристики ЛІС 1. Передавальна характеристика (для інверсних елементів) Uп – напруга перемикача Uз+ - додатн.завадост. Uз- - від’ємн.завадостійк. ΔUн – зона невизначеності ΔUн = Un0 – Un' -------- - характеристика трігерів Шмідта 2.Вхідна характеристика – показник залежності Івх. Від Uвх. Використовуючи вхідні характеристики – знаходиться навантажувальна здатність вихідного каскаду.
3.Вихідна характеристика – залежність вихідної напруги Uвих. Від Інавантаження Існують деякі мікросхеми, що забезпечують втриччі більші значення Івих при цих самих значеннях U. Інші параметри: реалізація логічних функцій навантажувальна спроможність коефіцієнт об’єднання по входу коефіцієнт розгалуження по виходу споживана потужність (струм) стійкість інтегральних схем до механічних і температурних впливів напруга живлення надійність: - інтенсивність відмов, λ - напрацювання на одну відмову, Т - ймовірність безвідмовної роботи Р(t) на протязі часу t Статичні параметри λ= n /NT, де n – число відмов t – час дослідження N – кількість елементів, що досліджуються Вважаємо, що для сучасних ІС λ = 5*10-8.. 10-9 один/год Т = 1/ λ P(t) = e-λt Ємність елемента, Макс/мін напруга живлення, додатня/від’ємна завадостійкості (Вольти) Динамічні характеристики ЛІС Це характеристики, що характеризують швидкодію логічних елементів: tф-час фронту – переключення від 0 до 1 tзр- час зрізу – переключення від 1 до 0 tз.ср.-час затримки середній =  EMBED Equation.3 
 3. Завадостійкість ІМС ТТЛ та ТТЛШ, шляхи їх покращення. При збільшенні температури зменьшується напруга на переходах ≈2мВ/◦С. Відповідно збільшується вихідна напруга «1», збільшується від’ємна завадостійкість, а додатня – зменьшується, бо U0вих зростає. U1 зростає U0 зростає  EMB...